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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1306O | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1306Y | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1307 | Wing Shing |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) |
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| 2SA1307 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1307 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1307 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1307 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin NS-B1 |
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| 2SA1307O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SA1307Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SA1308 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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