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2SA1307

更新时间： 2024-02-19 14:12:08

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永盛 - Wing Shing		晶体放大器晶体管功率放大器输出元件
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1页	73K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)

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2SA1307 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	8.46
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz

2SA1307 数据手册

2SA1307

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

POWER AMPLIFIER

VERTICAL DEFLECTION OUTPUT

SC-67

! Complement to 2SC3299

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation (Tc=25℃)

Junction Temperature

Symbol

Rating

Unit

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^C

T^j

-60

-50

-5

℃

150

-50~150

Tstg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE1

V^CE(sat)

F^t

V^CB= -150V , I^E=0

V^EB= -5V , I^C=0

V^CE= -1.0V ,I^C=-1.0A

I^C=-3A ,I^B=-0.15mA

V^CE= -10V ,I^C=-0.5A

-10

240

-0.4

µA

Collector- Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

MHZ

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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