2SA1306O

更新时间： 2024-09-19 12:59:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	111K
描述
Transistor

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2SA1306O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1306O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2SA1306/A/B

DESCRIPTION

·Good Linearity of h_FE

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

_(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306

= -180V(Min)-2SA1306A

= -200V(Min)-2SA1306B

·Complement to Type 2SC3298/A/B

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Driver stage amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-160

-180

-200

-160

-180

-200

-5

UNIT

2SA1306

Collector-Base

Voltage

V_CBO

2SA1306A

2SA1306B

2SA1306

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

2SA1306A

2SA1306B

V_EBO

Emitter-Base Voltage

I_C

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-1.5

I_B

-0.15

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

℃

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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