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2SA1213O(TE12L)

更新时间: 2024-10-28 14:32:03
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
5页 194K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

2SA1213O(TE12L) 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):70最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

2SA1213O(TE12L) 数据手册

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2SA1213  
V
– I  
V
– I  
CE C  
CE  
C
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
Common emitter  
Common emitter  
Ta = 100°C  
Ta = 25°C  
I
= −5 mA  
10  
20 30  
40  
I
= −3 mA  
B
5  
10  
20  
30  
B
40  
50  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Collector current  
I
C
(A)  
Collector current  
I
C
(A)  
V
– I  
h
– I  
FE C  
CE  
C
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
1000  
Common emitter  
= −2 V  
Common emitter  
V
CE  
500  
300  
Ta = −55°C  
Ta = 100°C  
25  
I
= −5 mA  
B
55  
10  
20  
30  
40  
50  
100  
50  
30  
10  
10  
30  
100  
300  
1000  
3000  
Collector current  
I
C
(mA)  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Collector current  
I
C
(A)  
V
– I  
V
– I  
BE (sat) C  
CE (sat)  
C
1  
10  
Common emitter  
/I = 20  
Common emitter  
I /I = 20  
C B  
I
C B  
0.5  
0.3  
5  
3  
Ta = −55°C  
Ta = 100°C  
0.1  
1  
0.05  
0.03  
0.5  
0.3  
25  
100  
25  
55  
0.01  
0.1  
10  
10  
30  
100  
300  
1000  
3000  
30  
100  
300  
1000  
3000  
Collector current  
I
C
(mA)  
Collector current  
I
C
(mA)  
3
2009-12-21  

与2SA1213O(TE12L)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1213O(TE12L,F) TOSHIBA

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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89
2SA1213-O-T MCC

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Transistor
2SA1213OTE12L TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1213OTE12R TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1213-O-TP MCC

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暂无描述
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功率三极管