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2SA1213O(TE12L)

更新时间： 2024-01-20 10:13:25

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东芝 - TOSHIBA		/
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5页	194K
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

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2SA1213O(TE12L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SA1213O(TE12L) 数据手册

2SA1213

– I

CE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

Common emitter

Ta = 100°C

Ta = 25°C

= −5 mA

−10

−20 −30

−40

= −3 mA

−5

−10

−20

−30

−40

−50

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

Collector current

(A)

– I

FE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

1000

Common emitter

= −2 V

Common emitter

500

300

Ta = −55°C

Ta = 100°C

= −5 mA

−55

−10

−20

−30

−40

−50

100

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

– I

BE (sat) C

CE (sat)

−1

−10

Common emitter

/I = 20

Common emitter

I /I = 20

C B

−0.5

−0.3

−5

−3

Ta = −55°C

Ta = 100°C

−0.1

−1

−0.05

−0.03

−0.5

−0.3

100

−55

−0.01

−0.1

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

Collector current

(mA)

2009-12-21

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1213O(TE12L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89	获取价格
2SA1213-O-T	MCC	Transistor	获取价格
2SA1213OTE12L	TOSHIBA	TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign	获取价格
2SA1213OTE12R	TOSHIBA	TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign	获取价格
2SA1213-O-TP	MCC	暂无描述	获取价格
2SA1213-O-TP-HF	MCC	暂无描述	获取价格