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2SA1213O(TE12L)

更新时间： 2024-02-29 14:21:43

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	194K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

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2SA1213O(TE12L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SA1213O(TE12L) 数据手册

2SA1213

– V

Safe Operating Area

−2.0

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

−3000

10 ms*

1 ms*

Common emitter

= −2 V

max (pulse)*

100 ms*

1 s*

max

−1000 (continuous)

−500

−300

Ta = 100°C

25 −55

DC operation

Ta = 25°C

−100

−50

−30

*: Single nonrepetitive pulse

Ta = 25°C

−10

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

−2.4

−5

−3

Curves must be derated linearly

with increase in temperature.

Tested without a substrate.

Base-emitter voltage

(V)

max

CEO

−1

−0.1

−0.3

−1

−3

−10

−30

−100

Collector-emitter voltage

(V)

– Ta

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

(1) Mounted on ceramic substrate

(1)

(2)

(250 mm × 0.8 t)

(2) No heat sink

100

120

140

160

Ambient temperature Ta (°C)

2009-12-21

1 2 345

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与2SA1213O(TE12L)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1213O(TE12L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89
2SA1213-O-T	MCC	获取价格	Transistor
2SA1213OTE12L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1213OTE12R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1213-O-TP	MCC	获取价格	暂无描述
2SA1213-O-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
2SA1213PT	CHENMKO	获取价格	PNP Epitaxial Transistor
2SA1213PTOGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SA1213PTYGP	CHENMKO	获取价格	暂无描述
2SA1213U	SWST	获取价格	功率三极管