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2SA1213Y(TE12L,F)

更新时间： 2024-11-18 09:40:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 195K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

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2SA1213Y(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SA1213Y(TE12L,F) 数据手册

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2SA1213  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1213  
Power Amplifier Applications  
Power Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
Low saturation voltage: V  
= −0.5 V (max) (I = −1 A)  
CE (sat)  
C
High speed switching time: t  
Small flat package  
= 1.0 μs (typ.)  
stg  
P
C
= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)  
Complementary to 2SC2873  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
−5  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
I
−2  
C
PW-MINI  
JEDEC  
Base current  
I
−0.4  
500  
B
―
P
P
C
C
JEITA  
SC-62  
2-5K1A  
Collector power dissipation  
mW  
TOSHIBA  
1000  
(Note 1)  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm2 × 0.8 t)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Start of commercial production  
1980-07  
1
2013-11-01  
12345

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与2SA1213Y(TE12L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1213-Y(TE12L,ZC TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1213-Y(TE12R,F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1213YGP CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SA1213-Y-TP MCC

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 		暂无描述
2SA1213-Y-TP-HF MCC

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2SA1215 NJSEMI

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2SA1215 ISC

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 		Silicon PNP Power Transistors

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