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2SA1216

更新时间： 2024-11-19 22:45:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1216 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：MT-200, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：784041Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：MT-200Samacsys Released Date：2019-03-27 13:11:04
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：17 A
集电极-发射极最大电压：180 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2SA1216 数据手册

  
LAP T 2 S A1 2 1 6  
Absolute maximum ratings  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2922)  
Application : Audio and General Purpose  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-200  
■
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SA1216  
SymboI  
VCBO  
IEBO  
2SA1216  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
6.0  
±0.3  
36.4  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–180  
–100max  
–100max  
–180min  
30min  
V
VCB=–180V  
±0.2  
24.4  
2.1  
±0.1  
2-ø3.2  
–180  
V
VEB=–5V  
9
V(BR)CEO  
hFE  
–5  
IC=–25mA  
V
–17  
VCE=–4V, IC=–8A  
IC=–8A, IB=–0.8A  
VCE=–12V, IE=2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
a
b
IB  
–5  
200(Tc=25°C)  
150  
VCE(sat)  
fT  
–2.0max  
40typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
W
°C  
°C  
2
Tj  
COB  
500typ  
3
+0.2  
-0.1  
0.65  
+0.2  
to  
Tstg  
–55 +150  
1.05  
-0.1  
to  
to  
to  
to  
hFE Rank O(30 60), Y(50 100), P(70 140), G(90 180)  
+0.3  
-0.1  
3.0  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 18.4g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
VB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
RL  
IC  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
(Ω)  
(A)  
–40  
5
–1  
1
0.3typ  
0.7typ  
0.2typ  
4
–10  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–17  
–15  
–3  
–2  
–1  
0
–17  
–15  
–10  
–5  
–10  
–5  
0
–150mA  
–100mA  
–50mA  
IC=–10A  
–5A  
IB=–20mA  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.2  
–0.4  
–0.6  
–0.8  
–1.0  
0
–1  
–2  
–2.4  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
200  
2
1
300  
125˚C  
100  
25˚C  
100  
50  
Typ  
–30˚C  
0.5  
50  
10  
–0.02  
10  
–0.02  
0.1  
–0.1  
–0.5 –1  
–5 –10 –17  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –10 –17  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
200  
160  
120  
80  
–50  
60  
–10  
–5  
40  
20  
0
–1  
40  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.5  
Without Heatsink  
5
0
–0.2  
–2  
–10  
–100  
–300  
0.02  
0.1  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
13  
1

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2SA1216 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1494 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
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