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2SA1213Y(TE12L,F)

更新时间: 2023-05-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 195K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

2SA1213Y(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.5 W最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SA1213Y(TE12L,F) 数据手册

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2SA1213  
I
– V  
Safe Operating Area  
C
BE  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
3000  
10 ms*  
1 ms*  
Common emitter  
= −2 V  
I
max (pulse)*  
100 ms*  
C
V
CE  
1 s*  
I
max  
C
1000 (continuous)  
500  
300  
Ta = 100°C  
25 55  
DC operation  
Ta = 25°C  
100  
50  
30  
*: Single nonrepetitive pulse  
Ta = 25°C  
10  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
2.4  
5  
3  
Curves must be derated linearly  
with increase in temperature.  
Tested without a substrate.  
Base-emitter voltage  
V
(V)  
BE  
V
max  
CEO  
1  
0.1  
0.3  
1  
3  
10  
30  
100  
Collector-emitter voltage  
V
(V)  
CE  
P
Ta  
C
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
(1) Mounted on ceramic substrate  
(1)  
(2)  
2
(250 mm × 0.8 t)  
(2) No heat sink  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
Ambient temperature Ta (°C)  
4
2013-11-01  

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2SA1213-Y(TE12L,ZC TOSHIBA

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