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2SA1215

更新时间： 2024-11-16 22:45:03
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管放大器局域网
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1页 26K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1215 数据手册

  
LAP T 2 S A1 2 1 5  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2921)  
Application : Audio and General Purpose  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-200  
■Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SA1215  
2SA1215  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=–160V  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
6.0  
±0.3  
36.4  
–160  
–100max  
–100max  
–160min  
50min  
V
±0.2  
24.4  
2.1  
–160  
IEBO  
VEB=–5V  
V
±0.1  
2-ø3.2  
9
–5  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–25mA  
V
VCE=–4V, IC=–5A  
IC=–5A, IB=–0.5A  
VCE=–12V, IE=2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–15  
A
a
b
IB  
–2.0max  
50typ  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
–4  
150(Tc=25°C)  
150  
A
PC  
W
°C  
°C  
2
Tj  
400typ  
COB  
3
+0.2  
Tstg  
0.65  
-0.1  
to  
–55 +150  
+0.2  
-0.1  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
1.05  
+0.3  
-0.1  
3.0  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 18.4g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
–60  
12  
–5  
5
–500  
500  
0.25typ  
0.85typ  
0.2typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–15  
–16  
–12  
–8  
–3  
–10  
–5  
0
–2  
–1  
–50mA  
IC=–10A  
–4  
IB=–20mA  
–5A  
0
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.2  
–0.4  
–0.6  
–0.8  
–1.0  
0
–1  
–2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
200  
200  
2
1
125˚C  
100  
50  
Typ  
25˚C  
100  
0.5  
–30˚C  
50  
30  
–0.02  
10  
–0.02  
0.1  
–0.5  
Collector Current IC(A)  
–5  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –10 –15  
–0.1  
–1  
–10 –15  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
160  
–40  
80  
60  
40  
120  
80  
–10  
–5  
–1  
20  
0
40  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.5  
Without Heatsink  
5
0
–0.2  
–2  
–10  
–100 –200  
0.02  
0.1  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
12  
1

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与2SA1215相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1215_07 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1215O SANKEN

获取价格

 		暂无描述
2SA1215O ISC

获取价格

 		Transistor
2SA1215P ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1215P ISC

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