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2SA1213Y(TE12L,F)

更新时间： 2023-05-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 195K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

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2SA1213Y(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SA1213Y(TE12L,F) 数据手册

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2SA1213  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
―
―
―
―
―
−0.1  
−0.1  
―
μA  
μA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= −10 mA, I = 0  
−50  
C
B
h
FE (1)  
V
V
= −2 V, I = −0.5 A  
70  
―
240  
CE  
C
DC current gain  
(Note 3)  
h
= −2 V, I = −2.0 A  
20  
―
―
―
―
―
―
―
−0.5  
−1.2  
―
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
I
= −1 A, I = −0.05 A  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= −1 A, I = −0.05 A  
―
B
f
V
V
= −2 V, I = −0.5 A  
120  
40  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
ob  
E
Turn-on time  
t
―
―
―
0.1  
1.0  
0.1  
―
―
―
on  
I
OUTPUT  
B2  
I
I
B2  
B1  
INPUT  
20 μs  
I
B1  
Switching time  
μs  
Storage time  
Fall time  
t
stg  
−30 V  
I
= 0.05 A,I = 0.05 A  
B1  
B2  
DUTY CYCLE ≤ 1%  
t
f
Note 3:  
h
classification O: 70 to 140, Y: 120 to 240  
FE (1)  
Marking  
Part No. (or abbreviation code)  
Characteristics indicator  
N
Note 4  
Lot No.  
Note 4: A line beside a Lot No. identifies the indication of product Labels.  
Without a line: [[Pb]]/INCLUDES > MCV  
With a line: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]  
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS  
compatibility of Product. The RoHS is the Directive 2011/65/EU of the European Parliament and of the Council of 8  
June 2011 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.  
2
2013-11-01  
12345

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与2SA1213Y(TE12L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1213-Y(TE12L,ZC TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1213-Y(TE12R,F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1213YGP CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SA1213-Y-TP MCC

获取价格

 		暂无描述
2SA1213-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1214 NJSEMI

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2SA1215 Wing Shing

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 		PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
2SA1215 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1215 NJSEMI

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 		New Jersey Semi-Conductor Products,
2SA1215 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

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