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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1175JF | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SA1175K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SA1175KF | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SA1175R | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SA1175RF | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1177 | SANYO |
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HF Amp Applications |
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| 2SA1177 | NJSEMI |
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New Jersey Semi-Conductor Products, |
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| 2SA1177D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1177E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1177F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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