2SA1179

更新时间： 2024-11-14 06:21:15

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RECTRON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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2页	291K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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2SA1179 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.48	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1179 数据手册

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

2SA1179

SEMICONDUCTOR

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES

High breakdown voltage

SOT-23

COLLECTOR

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

BASE

0.055(1.40)

0.047(1.20)

* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

EMITTER

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

* Weight: 0.008 gram

0.006(0.15)

0.003(0.08)

0.043(1.10)

0.035(0.90)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.004(0.10)

0.000(0.00)

* Marking: M

0.100(2.55)

0.089(2.25)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

0.019(2.00)

0.071(1.80)

0.118(3.00)

0.110(2.80)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

CHARACTERISTICS

Collector-Base Voltage

SYMBOL

VALUE

-55

UNITS

VCBO

Collector-Emitter Voltage

VCEO

-50

Emitter-Base Voltage

VCEO

-5

Collector Current-Continuous

-150

Total Device Dissipation

200

Junction and Storage Temperature

TJ,Tstg

-55-125

These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

CHARACTERISTICS

SYMBOL

MIN.

-55

TYP.

MAX.

UNITS

V(BR)CBO

Collector-base breakdowm voltage (IC= -10µA, IE= 0)

-50

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

Collector-emitter breakdowm voltage (IC= -1mA, IB= 0)

Emitter-base breakdowm voltage (IE= -10µA, IC= 0)

-5

Collector cut-off current (VCB= -35V, IE= 0)

Emitter cut-off current (VEB= -4V, IC= 0)

-0.1

IEBO

hFE

DC current gain (VCE= -6V, IC= -1mA)

200

400

-0.5

VCE(sat)

VBE(sat)

Collector-emitter saturation voltage (IC= -50mA, IB= -5mA)

-1.0

Base-emitter saturation voltage (IC= -50mA, IB= -5mA)

Transition frequency (VCE= -6V, IC= -10mA)

180

MHZ

Collector output capacitance (VCB= -6V, IE= 0, f=1MHZ)

Cob

2006-3

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