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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1182_07 | TOSHIBA | Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switc |
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| 2SA1182_15 | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1182-G | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1182-GR | TOSHIBA | 暂无描述 |
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| 2SA1182-GR,LF | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1182O | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
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