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2SA1185

更新时间： 2024-01-30 10:51:33

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	51K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1185 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	7 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SA1185 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1185

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High current capability

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·High power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-50

UNIT

Open emitter

Open base

-50

Open collector

-5

-7

I_CM

Collector current-peak

Base current-peak

-15

I_BM

-5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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