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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1186_07 | SANKEN |
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Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SA1186O | SANKEN |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1186P | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SA1186P | SANKEN |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SA1186Y | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1187 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1187 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1187 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1187 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| 2SA1188 | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial |
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