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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1186O
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2SA1186O

更新时间： 2024-11-20 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-100, TO-3P, 3 PIN

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2SA1186O 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2SA1186O 数据手册

  
LAP T 2 S A1 1 8 6  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2837)  
Application : Audio and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Symbol  
ICBO  
2SA1186  
Symbol  
2SA1186  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
2.0  
–100max  
–100max  
–150min  
50min  
9.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VCB=–150V  
–150  
V
IEBO  
VEB=–5V  
–150  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–25mA  
–5  
V
a
±0.1  
ø3.2  
VCE=–4V, IC=–3A  
IC=–5A, IB=–0.5A  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–80V, f=1MHz  
–10  
A
b
VCE(sat)  
fT  
–2.0max  
60typ  
IB  
V
MHz  
pF  
–2  
100(Ta=25°C)  
150  
A
PC  
W
°C  
°C  
2
3
COB  
110typ  
Tj  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
to  
–55 +150  
1.05  
0.65  
1.4  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
–60  
12  
–5  
5
–500  
500  
0.25typ  
0.8typ  
0.2typ  
–10  
–8  
–6  
–4  
–2  
0
–10  
–8  
–3  
–2  
–1  
0
–6  
IC=–10A  
–4  
–2  
–5A  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–2.0  
0
–1  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
3
1
300  
200  
125˚C  
25˚C  
Typ  
100  
100  
50  
–30˚C  
0.5  
50  
30  
–0.02  
20  
–0.02  
0.2  
–0.5  
–5  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5  
–10  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.1  
–1  
–10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
100  
80  
60  
40  
–30  
–10  
–5  
50  
–1  
20  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.5  
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.2  
–2  
–10  
–100  
–200  
0.02  
0.1  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
11  
1

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