2SA1186

更新时间： 2024-09-15 06:18:07

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1186 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1186

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -150V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC2837

APPLICATIONS

·For audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-10

I_B

-2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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