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2SA1179N_12

更新时间: 2024-09-13 12:51:11
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三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
7页 433K
描述
Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

2SA1179N_12 数据手册

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Ordering number : EN7198B  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
Low-Frequency General-Purpose  
Amp Applications  
2SA1179N/2SC2812N  
Features  
Miniature package facilitates miniaturization in end products  
High breakdown voltage  
( ) : 2SA1179N  
Specications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
(--)55  
(--)50  
(--)5  
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
C
(--)150  
(--)300  
(--)30  
200  
mA  
mA  
mA  
mW  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
CP  
I
B
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
C
Tj  
150  
C
C
°
Tstg  
--55 to +150  
°
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Product & Package Information  
• Package  
: CPA  
7053-001  
• JEITA, JEDEC  
: SC-59, TO-236, SOT-23,  
TO-236AB  
0.45  
0.13  
Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel  
2SA1179N6-TB-E  
2SA1179N6-CPA-TB-E  
2SC2812N6-TB-E  
2SC2812N6-CPA-TB-E  
3
Packing Type: TB  
0 to 0.1  
2
1
TB  
0.95  
1.3 MAX  
1.9  
2.93  
Marking  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
M
L
SANYO : CPA  
2SA1179N  
2SC2812N  
http://www.sanyosemi.com/en/network/  
91912 TKIM/92006 MSIM TC-00000143,00000144/72602 TSIM TA-2636, 2637 No.7198-1/7  

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