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2SA1179-T

更新时间： 2024-10-30 21:20:07
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 290K
描述
Transistor

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2SA1179-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61JESD-609代码：e3
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

2SA1179-T 数据手册

 浏览型号2SA1179-T的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
2SA1179  
SEMICONDUCTOR  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
High breakdown voltage  
*
SOT-23  
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
BASE  
0.055(1.40)  
2
0.047(1.20)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
EMITTER  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.008 gram  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Marking: M  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VALUE  
-55  
UNITS  
VCBO  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
-50  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
IC  
-5  
V
mA  
Collector Current-Continuous  
-150  
mw  
Total Device Dissipation  
PD  
200  
o
Junction and Storage Temperature  
TJ,Tstg  
-55-125  
C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN.  
-55  
TYP.  
-
MAX.  
UNITS  
V(BR)CBO  
-
-
Collector-base breakdowm voltage (IC= -10µA, IE= 0)  
V
V
V
-
-
-50  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-emitter breakdowm voltage (IC= -1mA, IB= 0)  
-
Emitter-base breakdowm voltage (IE= -10µA, IC= 0)  
-5  
-
Collector cut-off current (VCB= -35V, IE= 0)  
Emitter cut-off current (VEB= -4V, IC= 0)  
-
-
-0.1  
-0.1  
u
u
A
A
IEBO  
hFE  
-
-
-
DC current gain (VCE= -6V, IC= -1mA)  
200  
-
400  
-0.5  
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
Collector-emitter saturation voltage (IC= -50mA, IB= -5mA)  
-
-
-
-1.0  
-
Base-emitter saturation voltage (IC= -50mA, IB= -5mA)  
Transition frequency (VCE= -6V, IC= -10mA)  
180  
4
MHZ  
-
-
Collector output capacitance (VCB= -6V, IE= 0, f=1MHZ)  
Cob  
p
F
2006-3  
12

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