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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1177E | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1177F | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1179 | TYSEMI | High breakdown voltage Collector-base voltage VCBO -55 V |
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| 2SA1179 | SECOS | PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SA1179 | HTSEMI | TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SA1179 | RECTRON | SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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