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2SA1179

更新时间： 2024-02-04 21:19:02

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	37K
描述
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors

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2SA1179 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	JESD-609代码：	e3
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

2SA1179 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SA1179

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

3

Features

High breakdown voltage

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

Rating

Unit

V

-55

-50

V

-5

V

-150

200

mA

mW

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

PC

Tj

150

Tstg

-50 to 150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

Testconditons

Min

-55

-50

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

IC = -10ìA , IE = 0A

IC = -1mA , RBE =

IE = -10ìA , IC = 0A

VCB = -35V , IE = 0A

VEB = -4V , IC = 0

V

V

-0.1

-0.1

400

-0.5

-1.0

A

Emitter cutoff current

IEBO

A

DC current Gain

hFE

VCE = -6V , IC = -1mA

200

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Output capacitance

VCE(sat) IC = -50mA , IB = -5mA

VBE(sat) IC = -50mA , IB = -5mA

V

V

Cob

fT

VCB = -6V , IE=0 ,f = 1MHz

VCE = -6V , IC = -10mA

4.0

pF

Transition frequency

180

MHz

Marking

Marking

M

1

www.kexin.com.cn

1

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2SA1179_0712	BL Galaxy Electrical	Silicon Epitaxial Planar Transistor	获取价格
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