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2SA1179

更新时间： 2024-10-31 14:53:47

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	1177K
描述
SOT-23

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2SA1179 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	200
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA1179 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

2SA1179 ^TRANSISTOR(PNP)

FEATURES

. High breakdown voltage

1. BASE

2. EMITTER

M = Device code

Solid dot = Green molding

compound device.

MARKING: M

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

-55

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-50

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

-150

200

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions

V_(BR)CBOI_C=-10u A,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-10 u A,I_C=0

Min

-55

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_EBO

V_CB=-35V,I_E=0

-0.1

400

-0.5

-1.0

u A

Emitter cut-off current

V_EB=-4V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-6V,I_C=-1mA

I_C=-50mA,I_B=-5mA

V_CE=-6V,I_C=-10mA

V_CB=-6V,I_E=0,f=1MHz

200

Collector-emitter saturation voltage

Base -emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

180

MHz

Collector output capacitance

C_ob

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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