5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1175KF | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1175R | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1175RF | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1177 | SANYO |
获取价格 |
HF Amp Applications |
|
| 2SA1177 | NJSEMI |
获取价格 |
New Jersey Semi-Conductor Products, |
|
| 2SA1177D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1177E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1177F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1179 | TYSEMI |
获取价格 |
High breakdown voltage Collector-base voltage VCBO -55 V |
|
| 2SA1179 | SECOS |
获取价格 |
PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
