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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1175R | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SA1175RF | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SA1177 | SANYO |
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HF Amp Applications |
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| 2SA1177 | NJSEMI |
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New Jersey Semi-Conductor Products, |
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| 2SA1177D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1177E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1177F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1179 | TYSEMI |
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High breakdown voltage Collector-base voltage VCBO -55 V |
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| 2SA1179 | SECOS |
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PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SA1179 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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