5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 1200 ns | 最大开启时间（吨）： | 950 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7330H | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
|
| 2N7330R | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
|
| 2N7331 | RENESAS |
获取价格 |
19A, 200V, 0.21ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
|
| 2N7331D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258 |
|
| 2N7331H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258 |
|
| 2N7331R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258 |
|
| 2N7332H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AE |
|
| 2N7334 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| 2N7334JANTXV | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| 2N7335 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 750MA I(D) | DIP |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
