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2N7002E-13-F

更新时间： 2024-02-29 18:01:02

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5页	110K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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技术参数
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2N7002E-13-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

2N7002E-13-F 数据手册

2N7002E

1.0

0.8

2.0

1.6

T_A= -55°C

T_A= 25°C

0.6

0.4

0.2

1.2

T_A= 125°C

0.8

0.4

1.0

200

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Fig. 2 Drain Current vs. Gate-Source Voltage

Fig. 1 On-Region Characteristics

V_GS= 4.5V

I_D= 250mA

I_D= 75mA

V_GS= 10V

0.2

I_D, DRAIN CURRENT (A)

Fig. 4 On Resistance vs. Drain Current

0.6

0.8

0.4

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Fig. 3 On Resistance vs. Gate-Source Voltage

350

300

250

V_GS= 4.5V @ 200mA

200

150

100

V_GS= 10V @ 250mA

175

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature

-50

150

-75

50 75

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature

150

100 125

-25

100 125

3 of 5

www.diodes.com

August 2013

2N7002E

Document number: DS30376 Rev. 14 - 2

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002-E3	VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	获取价格
2N7002E-7	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7002E-7-F	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002E8/10K	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 115MA I(D) \| TO-236AB	获取价格
2N7002E9/3K	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 115MA I(D) \| TO-236AB	获取价格
2N7002E9/3K-E3	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格