2N7002CK

更新时间： 2024-01-28 03:16:13

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管
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13页	77K
描述
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

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2N7002CK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002CK 数据手册

2N7002CK

NXP Semiconductors

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

Table 6.

Thermal characteristics …continued

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

150 K/W

R_th(j-sp)

thermal resistance from

junction to solder point

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter Conditions

Static characteristics

Min

Typ

Max Unit

V_(BR)DSS

drain-source breakdown I_D= 10 µA; V_GS= 0 V

voltage

T_j= 25 °C

T_j= −55 °C

V_GS(th)

I_DSS

gate-source threshold

voltage

I_D= 250 µA; V_DS= V_GS

T_j= 25 °C

;

1.75 2.5

drain leakage current

V_DS= 60 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

100

µA

T_j= 150 °C

I_GSS

gate leakage current

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

V_GS= ±10 V; V_DS= 0 V

V_GS= ±5 V; V_DS= 0 V

450

100

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V;

I_D= 200 mA

T_j= 25 °C

1.3

2.8

1.1

Ω

T_j= 150 °C

4.4

1.6

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA

Dynamic characteristics

Q_G(tot)

Q_GS

Q_GD

C_iss

total gate charge

gate-source charge

gate-drain charge

input capacitance

output capacitance

I_D= 200 mA;

1.09 1.3

_DS= 10 V;

_GS= 4.5 V

0.22

0.23

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V;

f = 1 MHz

47.2 55

C_oss

C_rss

reverse transfer

capacitance

7.5

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

turn-on delay time

rise time

V_DS= 15 V;

R_L= 15 Ω;

V_GS= 10 V;

turn-off delay time

fall time

R_G= 6 Ω

Source-drain diode

V_SDsource-drain voltage

I_S= 200 mA; V_GS= 0 V

0.47 0.79 1.1

2N7002CK_1

Product data sheet

Rev. 01 — 11 September 2009

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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