2N7002CK

更新时间： 2024-01-29 20:00:31

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管
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13页	77K
描述
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

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2N7002CK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002CK 数据手册

2N7002CK

NXP Semiconductors

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

5. Limiting values

Table 5.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

gate-source voltage

drain current

±20

V_GS= 10 V

T_amb= 25 °C

300

190

1.2

T_amb= 100 °C

T_amb= 25 °C; t_p≤ 10 µs

T_amb= 25 °C

I_DM

P_tot

T_j

peak drain current

[1]

total power dissipation

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

350

150

+150

°C

T_amb

T_stg

−55

−65

°C

Source-drain diode

I_S

source current

peak source current

T_amb= 25 °C

200

1.2

I_SM

T_amb= 25 °C; t_p≤ 10 µs

ElectroStatic Discharge (ESD)

V_ESD

electrostatic discharge

voltage

all pins;

human body model;

C = 100 pF;

R = 1.5 kΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad

for drain 1 cm².

017aaa001

017aaa002

120

der

(%)

−75

−25

125

175

(°C)

−25

125

175

(°C)

amb

P_tot

-----------------------

P_tot(25°C)

I_D

-------------------

I_D(25°C)

P_der

× 100 %

I_der

× 100 %

Fig 1. Normalized total power dissipation as a

function of ambient temperature

Fig 2. Normalized continuous drain current as a

function of ambient temperature

2N7002CK_1

Product data sheet

Rev. 01 — 11 September 2009

3 of 13

1 234 5 6 7...13

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