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2N7002DW-13

更新时间： 2024-11-18 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

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2N7002DW-13 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.115 A
最大漏源导通电阻：7.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002DW-13 数据手册

 浏览型号2N7002DW-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002DW-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: 2N7002DW  
2N7002DW  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
SOT-363  
A
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
D2  
G1  
S1  
Low On-Resistance  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
C
B
B
Fast Switching Speed  
C
S2  
G2  
D1  
Low Input/Output Leakage  
D
0.65 Nominal  
G
H
Ultra-Small Surface Mount Package  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2)  
F
0.30  
1.80  
¾
0.±0  
2.20  
0.10  
1.00  
0.±0  
0.25  
8°  
H
K
J
M
J
Mechanical Data  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
F
·
·
Case: SOT-363  
L
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 9±V-0  
M
a
D2  
G1  
S1  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
All Dimensions in mm  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy ±2 leadframe). Please see Ordering Information,  
Note 5, on Page 2  
S2  
G2  
D1  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 2): K72  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
2N7002DW  
Units  
60  
60  
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±±0  
VGSS  
V
115  
73  
800  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Continuous @ 100°C  
Pulsed  
ID  
mA  
Total Power Dissipation  
Derating above TA = 25°C (Note 1)  
200  
1.60  
mW  
mW/°C  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
625  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-± PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30120 Rev. 6 - 2  
1 of 3  
2N7002DW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002DW-13-F DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002DW1T1 WILLAS

获取价格

 		115 mAmps,60 Volts
2N7002DW-7 DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DW-7-F DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002DW-7-F PANJIT

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002DWA DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DWA_15 DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DWA_17 DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DWA-13 DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
2N7002DWA-7 DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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