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2N7002BKS,115

更新时间: 2024-02-04 01:52:16
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 158K
描述
2N7002BKS - 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin

2N7002BKS,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSSOP包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.54
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:1.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7002BKS,115 数据手册

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2N7002BKS  
NXP Semiconductors  
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET  
8. Test information  
t
t
1
2
P
duty cycle δ =  
t
2
t
1
t
006aaa812  
Fig 17. Duty cycle definition  
2N7002BKS  
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© NXP B.V. 2010. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 2 — 23 September 2010  
10 of 16  
 

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