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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6847EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6847PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6848 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
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| 2N6849 | SEME-LAB |
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P.CHANNEL POWER MOSFETs |
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| 2N6849 | MICROSEMI |
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P-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6849 | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6849 with Hermetic Packag |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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