5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6847PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N6848 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
|
| 2N6849 | SEME-LAB |
获取价格 |
P.CHANNEL POWER MOSFETs |
|
| 2N6849 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6849 | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6849 with Hermetic Packag |
|
| 2N6849 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
|
| 2N6849_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6849E | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6849EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6849EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
