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2N6660JTXL02

更新时间： 2024-01-30 23:02:18

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威世 - VISHAY		放大器晶体管
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6页	109K
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19500/547 JANTX2N6660 W/SOLDER DIP

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2N6660JTXL02 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.28
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.99 A	最大漏极电流 (ID)：	0.99 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	6.25 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6660JTXL02 数据手册

2N6660, 2N6660-2, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV

www.vishay.com

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

100

= 10 V

8 V

= 10 V

2.8 V

7 V

6 V

2.6 V

5 V

4 V

2.4 V

2.2 V

1.8 V

2.0 V

3 V

2 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V_DS- Drain-to-Source Voltage (V)

- Drain-to-Source Voltage (V)

Ohmic Region Characteristics

Output Characteristics for Low Gate Drive

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

= - 55 °C

25 °C

1.0 A

0.5 A

= 15 V

125 °C

I_D= 0.1 A

V_GS- Gate-Source Voltage (V)

- Gate-Source Voltage (V)

Transfer Characteristics

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

2.5

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

= 10 V

= 1.0 A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.2 A

= 10 V

0.50

- 50

- 10

110

150

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

T_J- Junction Temperature (°C)

- Drain Current (A)

On-Resistance vs. Drain Current

Normalized On-Resistance vs. Junction Temperature

S11-1542-Rev. D, 01-Aug-11

Document Number: 70223

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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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