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2N6660JTXL02

更新时间： 2024-01-24 16:47:04
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
19500/547 JANTX2N6660 W/SOLDER DIP

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2N6660JTXL02 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.28
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.99 A最大漏极电流 (ID)：0.99 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：6.25 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N6660JTXL02 数据手册

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2N6660, 2N6660-2, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV  
www.vishay.com  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
LIMITS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.a  
MAX.  
UNIT  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0 V, ID = 10 μA  
VDS = VGS, ID = 1 mA  
60  
75  
1.7  
-
-
2
0.8  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
VGS(th)  
TC = - 55 °C  
TC = 125 °C  
DS = 0 V  
TC = 125 °C  
DS = 48 V  
TC = 125 °C  
-
2.5  
-
0.3  
-
V
-
-
100  
500  
1
IGSS  
VGS  
=
20 V  
nA  
-
-
V
-
-
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
IDSS  
VGS = 0 V  
μA  
A
-
-
-
100  
-
ID(on)  
VGS = 10 V  
VGS = 5 V  
VDS = 10 V  
ID = 0.3 A  
ID = 1 A  
2
-
2
5
Drain-Source On-State Resistanceb  
RDS(on)  
-
1.3  
2.4  
350  
0.8  
3
:
V
GS = 10 V  
TC = 125 °C  
-
5.6  
-
Forward Transconductanceb  
Diode Forward Voltage  
Dynamic  
gfs  
VDS = 7.5 V, ID = 0.525 A  
IS = 0.99 A, VGS = 0 V  
170  
0.7  
mS  
V
VSD  
1.6  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Drain-Source Capacitance  
Switchingc  
Ciss  
Coss  
Crss  
Cds  
-
-
-
-
35  
25  
7
50  
40  
10  
-
VGS = 0 V  
VDS = 25 V, f = 1 MHz  
pF  
ns  
30  
Turn-On Time  
tON  
-
-
8
10  
10  
VDD = 25 V, RL = 23 :  
ID # 1 A, VGEN = 10 V, Rg = 25 :  
Turn-Off Time  
tOFF  
8.5  
Notes  
a. FOR DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.  
b. Pulse test: PW d 300 μs duty cycle d 2 %.  
c. Switching time is essentially independent of operating temperature.  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation  
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
S11-1542-Rev. D, 01-Aug-11  
Document Number: 70223  
2
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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