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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.75 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.4 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6604 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-100VAR |
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| 2N6605 | CENTRAL |
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SCRs |
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| 2N6606 | CENTRAL |
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SCRs |
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| 2N6606LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, |
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| 2N6606TIN/LEAD | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| 2N6607 | CENTRAL |
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SCRs |
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| 2N6607LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, |
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| 2N6607TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, |
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| 2N6608 | CENTRAL |
获取价格 |
SCRs |
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| 2N6608LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, |
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