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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6378 | NJSEMI |
获取价格 |
50 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6378E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6379 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-POWER PNP SILICON |
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| 2N6379 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AE, Meta |
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| 2N6379E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N637A | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
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| 2N637B | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
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| 2N638 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N6380 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 |
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| 2N6380E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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