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2N6383

更新时间: 2024-11-19 22:49:23
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 150K
描述
POWER TRANSISTORS(10A,100W)

2N6383 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-204AA
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.31外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz

2N6383 数据手册

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