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2N6384

更新时间: 2024-11-29 22:49:23
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页数 文件大小 规格书
3页 150K
描述
POWER TRANSISTORS(10A,100W)

2N6384 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-204AA
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

2N6384 数据手册

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A

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