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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6380 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 |
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| 2N6380E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N6381 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6381 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin TO-63 |
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| 2N6382 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6383 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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| 2N6383 | MICROSEMI |
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NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6383 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6383 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6383 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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