是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-204AA |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.13 | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
基于收集器的最大容量: | 200 pF | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6384 | MICROSEMI |
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NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6384 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE | |
2N6384 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | |
2N6384 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6384 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6384 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6384 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) | |
2N6385 | MICROSEMI |
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NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6385 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE | |
2N6385 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |