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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6379 | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6379E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N637A | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
|
| 2N637B | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
|
| 2N638 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6380 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N6380E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N6381 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N6381 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N6382 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N6383 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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