5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6379 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-POWER PNP SILICON |
|
| 2N6379 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AE, Meta |
|
| 2N6379E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N637A | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
|
| 2N637B | NJSEMI |
获取价格 |
BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
|
| 2N638 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6380 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N6380E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
|
| 2N6381 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N6381 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin TO-63 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
