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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6378E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6379 | NJSEMI |
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HIGH-POWER PNP SILICON |
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| 2N6379 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AE, Meta |
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| 2N6379E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N637A | NJSEMI |
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BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
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| 2N637B | NJSEMI |
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BENDIX GERMANIUM PNP POWER CONVERTOR TRANSISTORS |
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| 2N638 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N6380 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 |
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| 2N6380E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N6381 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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