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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6324E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6325 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6326 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6326 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6326E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6327 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6327 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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