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2N6326

更新时间： 2024-01-05 22:41:20

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	97K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

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2N6326 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	30 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	6	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6326 数据手册

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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