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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6332 | TI | 2A, 30V, SCR, TO-39 |
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| 2N6333 | TI | 2A, 50V, SCR, TO-39 |
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| 2N6333 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6334 | TI | 2A, 100V, SCR, TO-39 |
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| 2N6335 | TI | 暂无描述 |
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| 2N6336 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 2000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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