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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 5 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 最大漏电流： | 0.15 mA | 通态非重复峰值电流： | 20 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 2000 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 最大均方根通态电流： | 2 A | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6335 | TI | 暂无描述 |
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| 2N6336 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 2000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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| 2N6337 | TI | 2A, 400V, SCR, TO-39 |
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| 2N6338 | MOSPEC | POWER TRANSISTOR(25A,200W) |
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| 2N6338 | BOCA | HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6338 | ONSEMI | High-Power NPN Silicon Transistors |
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