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2N6330

更新时间： 2024-01-15 11:04:06

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	91K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3

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2N6330 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	30 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	6	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6330 数据手册

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1

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与2N6330相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6330E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N6331	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3	获取价格
2N6331E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N6332	TI	2A, 30V, SCR, TO-39	获取价格
2N6333	TI	2A, 50V, SCR, TO-39	获取价格
2N6333	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格

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