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2N6328

更新时间： 2024-02-17 00:13:01

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页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6328 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.88	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	114 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

2N6328 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6326 2N6327 2N6328

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for audio amplifier and

switching circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6326

2N6327

2N6328

2N6326

2N6327

2N6328

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

7.5

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N6331	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3	获取价格
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