5秒后页面跳转
2N6326E3 PDF预览

2N6326E3

更新时间: 2024-02-20 09:03:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 88K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N6326E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:60 V
最小直流电流增益 (hFE):6JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6326E3 数据手册

  

与2N6326E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6327 JMNIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N6327 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N6327 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N6327E3 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

获取价格

2N6328 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N6328 JMNIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格